長鑫存儲發布下一代 4F² 技術
長鑫宣布年底將採用 4F² 架構生產 DDR5,且目前 G5 DRAM 已量產,每片晶圓產出精粒提升 50%。這引發市場對記憶體供給過剩的嚴重擔憂,衝擊國際大廠股價。
分析長鑫存儲技術突破對記憶體市場的衝擊,並探討 OCP 大會與能源週如何聚焦於 AI 數據中心(AIDC)的電力與光傳輸規格演進。
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長鑫存儲(CXMT)在被美方限制高端設備的情況下,仍推動 4F² 這種需要高階蝕刻與沉積技術的 3D 結構,顯示出中國記憶體產業正試圖透過架構創新來抵銷設備短缺的劣勢。影片中提到這類似於「往上堆疊」的生存法則,這與邏輯晶片發展 3D 封裝的邏輯不謀而合。
然而,這種架構突破的關鍵在於「良率與成本的平衡」。當長鑫宣稱產能提升 50% 時,若良率無法達標,其實際對市場的供給影響有限。對於投資者而言,更值得思考的是:當 AI 帶動 HBM 需求大增、國際大廠紛紛轉產 HBM 時,長鑫填補的中低階 DDR5 空缺,究竟會成為長期的產能威脅,還是僅僅是填補了短期的市場縫隙?當 AIDC 需要的是極高效率的記憶體傳輸時,長鑫的架構創新能成功跨入 AI 核心供應鏈嗎?