High NA EUV 關鍵參數
將數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，透過更大的入射角解析更精細結構，支撐 2 奈米以下製程演進。
這部在講什麼知識講解
介紹蔡司（ZEISS）如何憑藉極致光學技術，為半導體 3 奈米以下先進製程與先進封裝提供核心元件、光罩修復及失效分析解決方案。
適合誰關注半導體設備、EUV 技術與封裝測試的專業人士。
關鍵概念了解 High NA EUV 核心原理、掌握先進封裝 3D X-ray 檢測技術、認識雷射整合式失效分析流程。
最值得看07:23 揭密次原子尺度精度的 EUV 反射鏡面與 150 噸級真空量測系統。
概念地圖
概念與關係意義優先，時間戳用來導航
光罩缺陷修復路徑
利用 MeRiT 電子束修復與 AIMS 模擬驗證，在光罩投入產線前解決圖形缺陷，確保晶圓曝光正確性。
非破壞性 3D X-ray 檢測
NLX 技術可穿透封裝外部，針對 CoWoS 等先進封裝內的焊錫凸塊與互連結構進行 3D 成像，揪出隱藏缺陷。
雷射交叉光束失效分析
整合雷射與聚焦離子束（FIB），使截面製作速度比傳統設備快 200%，大幅縮短 5 奈米以下元件的 RCA 分析時間。
全域晶圓形狀控制
DUNE 技術針對先進封裝因減薄產生的晶圓翹曲提供檢測與修復，維持後段製程與接合良率。
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看完可以做什麼
在評估先進製程或封裝良率解決方案時，優先考察結合雷射銑削與電子顯微鏡的自動化失效分析流程，以縮短研發週期。
生成於 2026-08-23
檢舉
早期觀眾反應
整理 4 則有效留言信心 低觀眾對蔡司在半導體檢測的技術實力表示讚嘆，並針對特定檢測技術與應用細節提出疑問。
觀眾詢問蔡司非破壞檢測與其他廠商的差異，以及DUNE技術中翹曲優化的具體矯正力來源。
觀眾對蔡司在半導體領域的技術領先地位表示高度肯定，並期許台灣相關產業持續精進。
目前僅整理 4 則有效留言，反應仍可能改變。